三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%

  9月29日 ,据报道,三星电子一位高管表示,高带宽内存(HBM)预计明年将占动态随机存取存储器(DRAM)芯片制造商总晶圆产能的近30% ,高于近来 约20%的水平。

三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%

(文章来源:界面新闻)

三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%

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